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半導体の樹脂バリ取り

加工内容

  • 取る

ウェットブラストによる精密樹脂バリ取り(デフラッシュ)

エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を使用して、パワーデバイスなどの半導体パッケージをモールドする際に発生したバリを、ダメージレスで除去し、めっき前処理をおこなう表面処理技術です。

パワー半導体

バリの種類

〇〇の様子

ダムバリ

リードの間を完全に埋めるバリ

従来のバリ取り工法で除去可能

〇〇の様子

サイドバリ

リードフレームの脇に出る厚いバリ

従来のバリ取り工法で除去可能

〇〇の様子

フラッシュバリ

リードフレームやヒートシンク上の薄バリ

パッケージの小型化、薄型化が進み、樹脂バリ取り(デフラッシュ)のニーズが増えている。安価で安定したバリ取りが必要

処理のポイント

  • 安定した品質のバリ取りが安価で行える
  • パッケージ破損や内部チップ剥離がない
  • パッケージの表面を荒らさない

樹脂バリ取りの問題点

  • ケミカル処理(電解前処理+ウォータージェット)を止めたい
  • 半導体パッケージの内部破損、リードフレームと封止樹脂の界面剥離が発生する
  • パッケージが小型でバリが除去しづらい
  • 樹脂表面を削りすぎてしまう
  • バリ取り後のめっき密着性が低い

ウェットブラストによる樹脂バリ取りの強み

  • 電解前処理などのケミカルを使用しない
  • バリの種類に合った粒子を使用することで、高速処理可能
  • リード部など,狙った箇所のみ処理可能
  • 圧力制御が容易
  • 微細な粒子が使用可能
  • 粉塵が発生しない

ウェットブラスト処理の特長

精密物理洗浄により、電極面のフラッシュバリを確実に除去できる

洗浄の原理

微細粒子と水が高速で衝突するエネルギーを利用し、汚れや異物を物体表面ごと削り取ることが可能です。

ウェットブラストの詳細は、下記をご覧ください。

時加工法とは  ウェットブラストによる基板洗浄

独自開発の幅広ガンを使用することによる、処理ムラの減少

従来のガン

時加工法とは  ウェットブラストによる基板洗浄

処理ムラが発生

幅広ガン(当社特許技術)

時加工法とは  ウェットブラストによる基板洗浄

処理面全面を均一に処理可能

遊離砥粒加工によるソフトな処理により、パッケージへのダメージを抑えた処理が可能

ウェットブラストでは、微細粒子と水、圧縮空気が、加工対象物に対して霧状に噴射されます。
そのため、加工対象物表面への加工は連続したパルス状のものとなり、その際加わる圧力は極めて小さく済みます。

遊離砥粒加工によるソフトな処理により、パッケージへのダメージを抑えた処理が可能

微細粒子による低圧処理により、パッケージ表面に対してダメージを抑えた処理が可能

F=Mα

(加工力)=(粒子の質量)✕(衝突の加速度)

※粒子の速度が同じ場合、粒子径が1/10の時、加工力は1/1000となる

微細粒子による低圧処理により、パッケージ表面に対してダメージを抑えた処理が可能

樹脂バリ取り(デフラッシュ)例

フラッシュバリ除去例

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