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デフラッシュ - 半導体

ウェットブラストにより、半導体パッケージの樹脂モールドを行う際に発生した薄バリ(フラッシュバリ)を除去・洗浄し、めっきの密着前処理をおこなう表面処理技術です。

処理のポイント

  1. 大量の粒子が均一に表面に当たることで、バリの完全除去が行える。
  2. 遊離砥粒によるパルス加工のため、パッケージへのダメージを抑えた処理が可能。
  3. 微細粒子による低圧処理でパッケージ表面を傷つけない。

バリの種類

ダムバリ=リードの間を埋めるバリ,サイドバリ=リードの脇に出る厚バリ,フラッシュバリ=リードやヒートシンク上の薄バリ

フラッシュバリ取りの問題点

バリの取り残しがある,処理ムラがある,処理により根元部分のパッケージが破壊,表面が白くなる,削りすぎてフィラーが露出する,エッジがRになってしまう

ウェットブラストによるフラッシュバリ取りの強み

  1. 均一処理でバリを残さず完全除去できる
  2. パッケージが白くならない
  3. サブミクロンで加工力をコントロールできる

ウェットブラスト処理の特長

1)精密物理洗浄により、電極面のフラッシュバリを確実に除去できる。

洗浄の原理

微細粒子と水が高速で衝突するエネルギーを利用し、汚れや異物を物体表面ごと削り取る。

2)独自開発の幅広ガンを使用することによる処理ムラの減少

従来のガン幅広ガン
複数本のガンでの同時投射
処理幅に合わせたガン1本での投射

処理ムラが発生

全面を均一に処理可能

3)遊離砥粒加工によるソフトな処理により、パッケージへのダメージを抑えた処理が可能。

表面に連続パルス状加工が施され、加工対象物に加わる圧力が少ない。

4)微細粒子による低圧処理により、パッケージ表面に対してダメージを抑えた処理が可能。

フラッシュバリ除去例

パッケージ面,ヒートシンク面のウェットブラスト処理前後

関連装置例 Mini PFE 100

特長

  1. ウェットブラスト、水洗、水切りまでインラインで処理可能
  2. 独自の幅広ガン(幅最大110mm)で表裏全面処理可能
  3. 装置の小型化により高いスペース生産性を実現
  4. 微粒子を使用し、精密物理洗浄を実現

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