半導体デフラッシュ

■処理の目的

半導体パッケージの樹脂モールドを行う際に発生した薄バリを除去し、メッキの前処理を行う

■バリの種類

■フラッシュバリ取りの問題点

■ウェットブラストによるフラッシュバリ取りの強み

１）均一処理でバリを残さず完全除去できる
２）パッケージが白くならない
３）サブミクロンで加工力をコントロールできる

■ウェットブラスト処理の特長

１）精密物理洗浄により、電極面のフラッシュバリを確実に除去できる。

洗浄の原理
微細粒子と水が高速で衝突するエネルギーを利用し、汚れや異物を物体表面ごと削り取る。

 

２）独自開発の幅広ガンを使用することによる処理ムラの減少

従来のガン		幅広ガン
複数本のガンでの同時投射		処理幅に合わせたガン１本での投射
処理ムラが発生		全面を均一に処理可能

 

３）遊離砥粒加工によるソフトな処理により、パッケージへのダメージを抑えた処理が可能。

表面に連続パルス状加工が施され、加工対象物に加わる圧力が少ない。

 

４）微細粒子による低圧処理により、パッケージ表面に対してダメージを抑えた処理が可能。

■フラッシュバリ除去例

■関連装置例（Mini PFE 100）

【特　長】
・ウェットブラスト、水洗、水切りまでインラインで処理可能
・独自の幅広ガン（幅100mm）で表裏全面処理可能
・装置の小型化により高いスペース生産性を実現
・微粒子を使用し、精密物理洗浄を実現

【装置仕様】

寸法	1200W×1250D×1600H
処理サイズ	ワーク幅：20～80mm ワーク長さ：100～250mm ワーク厚み：0.1～3.0mm 許容ワーク反り：中央曲がり1mm以内
コンベア搬送速度	0.1～3.0m/min
ガン	幅広ガン90mm×1.0mm　上下各1本
電源	AC200V,50/60Hz,3相
消費電力	約2.6kW（全機器、定格電力の和）
エア供給圧力	0.5MPa以上、0.7MPa以下
エア消費量	4.1m3/min(NTP,ブラストエア圧0.25MPa時)
オプション